林文文简历

       林文文，博士生导师，现任中国科学院宁波材料技术与工程研究所项目研究员。2001年9月-2005年6月在重庆大学获得材料化学工学学士学位；2005年9月-2010年6月在中科院福建物质结构研究所师从黄丰研究员，获得凝聚态物理理学博士学位；毕业后留组担任助理研究员，从事强脉冲中子辐射探测用英寸级氧化锌单晶的产业化生长技术开发。自2013年12月在美国西北大学化学系开展博士后工作，合作导师为Mercouri G. Kanatzidis教授，从事室温H辐射探测单晶新材料和器件的研究；自2017年7月在美国阿贡国家实验室材料科学部担任研究助理，从事高产率、高性能和大尺寸的新一代H辐射探测用单晶材料的产业化技术研究；自2021年2月至今，任中科院宁波材料所项目研究员。相关研究成果以第一作者在J. Am. Chem. Soc., Adv. Func. Mater., ACS Photonics, Adv. Mater.等国际期刊上发表，并申请5项关于H辐射探测单晶新材料研究的美国专利。

研究方向:

1. 高质量、大尺寸的半导体单晶生长产业化技术；
2. 半导体材料中的载流子输运和缺陷调控的研究；
3. H辐射探测半导体新材料和器件；
4. 医疗成像用闪烁体单晶新材料；
5. 半导体材料深度提纯和深能级钝化技术开发。

招生方向：半导体物理、半导体器件、晶体生长、H辐射防护。

E-mail：linwenwen@nimte.ac.cn

办公室：材料所C楼510室

代表性论文：

1. Wenwen Lin, et al, Mercouri G Kanatzidis, Cu₂I₂Se₆: A Metal–Inorganic Framework Wide-Bandgap Semiconductor for Photon Detection at Room Temperature, Journal of the American Chemical Society 2018, 140, 1894-1899.
2. Wenwen Lin; et al; Mercouri G. Kanatzidis*; Inorganic Halide Perovskitoid TlPbI₃ for Ionizing Radiation Detection, Advanced Functional Materials, 2021, 2006635: 1-11.
3. Wenwen Lin, et al,, Mercouri G Kanatzidis, TlSn₂I₅, a Robust Halide Antiperovskite Semiconductor for γ-Ray Detection at Room Temperature, ACS Photonics 2017, 4, 1805-1813.
4. Wenwen Lin, et al,, Mercouri G Kanatzidis, TlSbS₂: a Semiconductor for Hard Radiation Detection, ACS Photonics 2017, 4, 2891-2898.
5. Wenwen Lin, et al, Mercouri Kanatzidis, Ultralow Thermal Conductivity, Multiband Electronic Structure and High Thermoelectric Figure of Merit in TlCuSe, Advanced Materials, 2021, 23, 2104908.

代表性专利：

1. 发明人：Mercouri G. Kanatzidis, Bruce W. Wessels, Zhifu Liu and Wenwen Lin, 专利名称：Inorganic Ternary Halide Semiconductors for Hard Radiation Detection，美国，专利申请号： PCT/US2017/043193. 申请日期：2017年7月。
2. 发明人：Mercouri G. Kanatzidis and Wenwen Lin, 专利名称：Copper Halide Chalcogenide Semiconductor Compounds for Hard Radiation Detection. 美国，专利申请号：PCT/US2018/042251. 申请时间：2017年7月。
3. 发明人：Wenwen Lin，Mercouri G. Kanatzidis, Duck Young Chung, 专利名称：XXX Doped Cesium and Rubidium Lead Perovskite Compounds for Hard Radiation Detection . 美国，专利申请号：US63020176.申请时间：2020年5月。
4. 发明人：Mercouri G. Kanatzidis，Wenwen Lin,  专利名称：Method For Purifying an Inorganic Material Using a Tube Having a Bend Between a First End and A Second End of the Tube. 美国，专利申请号：17/341,899. 申请时间：2021年5月。
5. 发明人：Mercouri G. Kanatzidis， Wenwen Lin，专利名称：Methods for the Synthesis, Purification and Crystal Growth of Inorganic Crystals for Hard Radiation Detectors，美国，专利号PCT/US2017/048653，授权时间：2019年5月。